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新潔能,溝槽型功率MOSFET,MOSFET,超結(jié)功率MOSFET,屏蔽柵溝槽型功率MOSFET,功率半導(dǎo)體應(yīng)用于“電動車”領(lǐng)域
來源: | 作者:佚名 | 發(fā)布時間: 2022-06-07 | 972 次瀏覽 | 分享到:

1.充電器 應(yīng)用說明


       電動車充電器是專門為電動自行車的電瓶配置的一個充電設(shè)備,常用的開關(guān)電源式充電器分半橋式和單激式兩大類,單激類又分為正激式和反激式兩類。半橋式成本高,性能好,常用于帶負脈沖的充電器;單激式成本低,市場占有率高,目前市場的充電器多為反激式。

      新潔能的Super-Junction Gen.3系列產(chǎn)品具有更快的開關(guān)速度,更低的導(dǎo)通損耗、極低的柵極電荷(Qg),從而降低了器件的功率損耗,提高系統(tǒng)效率。又由于采用了自主創(chuàng)新技術(shù),優(yōu)化了器件的開關(guān)特性,器件在系統(tǒng)中具有更好的EMI表現(xiàn)。同時,新潔能超結(jié)MOSFET具有良好的魯棒性,是充電器高效率、高可靠性的解決方案。


線路圖


推薦產(chǎn)品


PFC :

SJ-III MOSFET:VDS=650V-700V  Ron@10V(max)=260mΩ-680mΩ



反激:

SJ-III MOSFET:VDS=650V-700V  Ron@10V(max)=260mΩ-680mΩ  



2.控制器 應(yīng)用說明


      在電動車市場中,輕型電動車(電動二輪車、電動三輪車、電動踏板車)這個細分領(lǐng)域的重要性日趨顯著。輕型電動車作為人們?nèi)粘I畹拇焦ぞ撸兄顿Y與運行維護成本低的優(yōu)點,符合大部分消費者的預(yù)算要求。同時,它能夠通過標準電網(wǎng)進行充電,上述特點使它成為了短距離代步工具。在未來幾年,輕型電動車數(shù)量將井噴式增長。但是,用戶對續(xù)航里程的焦慮也是日趨顯著,如何優(yōu)化系統(tǒng)成本和效率,成為當下急需解決的難題。

       新潔能Normal Trench MOSFET系列&Super Trench MOSFET系列,在保持合理的功耗下將高能效發(fā)揮到極致,全面提升了器件的開關(guān)特性和導(dǎo)通特性。特別地,Super Trench技術(shù)為您帶來了更低的導(dǎo)通損耗以及更好的開關(guān)特性,如今第二代SGT產(chǎn)品較第一代產(chǎn)品綜合性能提升20%以上,使您獲得更高的效率。同時,如果您比較關(guān)注成本的話,也可以選擇Normal Trench MOSFET系列,來獲取更高的性價比。


線路圖



推薦產(chǎn)品


N-channel Trench MOSFET:VDS=60V-100V    Ron@10V(max)<8mΩ


N-channel SGT-II MOSFET、N-channel SGT-I MOSFET:VDS=60V-100V  Ron@10V(max)<8mΩ

IC:柵極驅(qū)動 IC



3.轉(zhuǎn)換器 應(yīng)用說明


  電動車轉(zhuǎn)換器能將電動車電池的高壓電轉(zhuǎn)換成系統(tǒng)需要的12V低壓電,在電動車上使用的通常為非隔離式降壓方案。由于轉(zhuǎn)換器工作在相對密閉的環(huán)境中,發(fā)熱對系統(tǒng)穩(wěn)定性至關(guān)重要,從而對轉(zhuǎn)換器能效有著很高要求,整個系統(tǒng)運行中,功率器件本身的低損耗尤為關(guān)鍵。

       新潔能Normal Trench MOSFET系列&Super Trench MOSFET系列,在保持合理的功耗下將高能效發(fā)揮到極致,全面提升了器件的開關(guān)特性和導(dǎo)通特性,并改良了體二極管反向恢復(fù)特性。尤其是,Super Trench技術(shù)全面提升了產(chǎn)品的導(dǎo)通電阻溫度特性,有效控制了器件導(dǎo)通電阻隨溫度增加而上升的幅度,以100V產(chǎn)品為例,對比普通溝槽型MOSFET產(chǎn)品,Super Trench技術(shù)將器件175度下的導(dǎo)通電阻 倍增因子由原有的2.29降低為2.09,從而顯著增強器件高溫下的電流能力和抗沖擊特性。Super Trench MOSFET產(chǎn)品將更適宜于高溫嚴酷環(huán)境下的應(yīng)用。



線路圖




推薦產(chǎn)品


N-channel Trench MOS:VDS=100V-120V     Ron@10V(max)=16mΩ-32mΩ


N-channel SGT Gen.2 MOS、N-channel SGT Gen.1 MOS:VDS=100V-120V  Ron@10V(max)=8.5mΩ-23mΩ

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