作為領(lǐng)先的MOSFET分立器件設(shè)計與供應(yīng)商，新潔能致力于推廣性能卓越、質(zhì)量穩(wěn)定并且極具價格競爭力的全系列MOSFET產(chǎn)品。我們?yōu)殡娐吩O(shè)計師們提供全面的產(chǎn)品選擇，擊穿電壓覆蓋-200V至300V，配合最先進的封裝技術(shù)，為您提供100mA至400A的電流選擇范圍。我們專注于持續(xù)改進MOSFET在電能轉(zhuǎn)換過程中的系統(tǒng)效率和功率密度以及在苛刻環(huán)境下開關(guān)過程中的抗沖擊雪崩耐量，實現(xiàn)快速、平穩(wěn)、高效的電源管理及電能轉(zhuǎn)換。
通過采用最先進的溝槽柵工藝技術(shù)和電流通路布局結(jié)構(gòu)，新潔能MOSFET實現(xiàn)了功率密度最大化，從而大幅度降低電流傳導(dǎo)過程中的導(dǎo)通損耗。同時，電流在芯片元胞當中的流通會更加均勻穩(wěn)定；應(yīng)對于高頻率的開關(guān)應(yīng)用，我們?yōu)樵O(shè)計師們提供低開關(guān)損耗的系列產(chǎn)品（產(chǎn)品名稱后加標C），其有效降低了柵極電荷（Qg），尤其是柵極漏極間的電荷（Qgd），從而在快速開關(guān)過程中降低開關(guān)功率損耗。通過采用這些先進的技術(shù)手段，MOSFET的FOM（品質(zhì)因子（Qg*Rdson））得以實現(xiàn)行業(yè)內(nèi)的領(lǐng)先水平。
應(yīng)對于半橋/全橋、AC/DC電源的同步整流以及其它需要反向續(xù)流的應(yīng)用終端，我們的MOSFET著重優(yōu)化了Body Diode，在提高和加快反向續(xù)流能力的同時，降低反向恢復(fù)過程中的峰值電流（Irm）和電壓（Vrm）。
新潔能結(jié)合最先進的封裝技術(shù)將MOSFET功率、電流和可靠性提升至新的高度，我們推出TO-220H封裝外形（產(chǎn)品名稱后加標H），有效地增加了用戶在電路板裝配MOSFET的工作效率，并降低了成本。
30-100V P-Channel SGT-I MOSFET概覽
新潔能提供擊穿電壓等級范圍為-30V至-100V的P溝道SGT-I系列功率MOSFET產(chǎn)品。P溝道增強型功率MOSFET在降低系統(tǒng)設(shè)計復(fù)雜度上擁有天然的優(yōu)勢，獨特的柵極負壓開啟機制，使得P溝道功率MOSFET成為高端開關(guān)的理想選擇。P溝道功率MOSFET產(chǎn)品的選用可以簡化柵極驅(qū)動，往往可以降低系統(tǒng)的總成本，為設(shè)計人員提供了一種新的選擇。此外，P溝道功率MOSFET產(chǎn)品利用空穴作為載流子進行導(dǎo)電，其遷移率低于N溝道功率MOSFET中的載流子電子，同等情況下，P溝道功率MOSFET產(chǎn)品導(dǎo)電性能弱于N溝道功率MOSFET產(chǎn)品。
新潔能基于SGT-I技術(shù)的-30~-100V P溝道功率產(chǎn)品提供超低的導(dǎo)通電阻（RDS(on)），為設(shè)計人員在簡化系統(tǒng)復(fù)雜度、降低系統(tǒng)總成本的前提下，進一步提高系統(tǒng)效率與性能。廣泛應(yīng)用于電池保護、負載開關(guān)、電機控制及低壓驅(qū)動等應(yīng)用中。
P溝道SGT-I系列功率MOSFET封裝范圍包括TO-220、TO-252、TO-263、DFN5*6、SOP-8等多種封裝形式，為設(shè)計人員優(yōu)化系統(tǒng)提供最優(yōu)的解決方案。
注："SGT MOSFET"又稱“Super Trench MOSFET”。
產(chǎn)品特性
系統(tǒng)成本低
設(shè)計難度低
產(chǎn)品列表（請下載Excel查看）
30-100V P-Channel SGT-I MOSFET產(chǎn)品詳情.xlsx
更多新潔能，溝槽型功率MOSFET，超結(jié)功率MOSFET，屏蔽柵功率MOSFET及IGBT信息歡迎來電垂詢。
