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新潔能,溝槽型功率MOSFET,超結(jié)功率MOSFET,屏蔽柵溝槽型功率MOSFET,600-650V N-Channel SJ-III TF MOSFET概覽
來源: | 作者:佚名 | 發(fā)布時(shí)間: 2022-06-08 | 902 次瀏覽 | 分享到:

600-650V N-Channel SJ-III TF MOSFET概覽

新潔能提供擊穿電壓等級范圍為600V至650V的N溝道SJ-III TF系列功率MOSFET產(chǎn)品。為了滿足全橋、半橋、LLC諧振開關(guān)應(yīng)用中效率及EMI需求,基于新潔能在SJ-III技術(shù)基礎(chǔ)上,在保證優(yōu)秀的導(dǎo)通電阻、極低柵電荷以及出色的開關(guān)速度前提下,增強(qiáng)了超結(jié)產(chǎn)品的體二極管反向恢復(fù)特性,綜合優(yōu)化了超結(jié)產(chǎn)品由于體二極管反向恢復(fù)帶來的損耗以及可靠性問題。


N溝道500-800V系列SJ-III MOSFET TF產(chǎn)品封裝范圍包括TO-220、TO-263、TO-252、TO-247等。



產(chǎn)品特性

  • 導(dǎo)通電阻低

  • 柵極電荷低

  • 開關(guān)速度出色

  • 反向恢復(fù)特性強(qiáng)



產(chǎn)品應(yīng)用

  • 5G電源、基站電源、通信交換機(jī)與路由器、PC電源

  • 適配器、LED照明、車載OBC、車載逆變器



產(chǎn)品列表(請下載Excel查看)


600-650V N-Channel SJ-III TF MOSFET產(chǎn)品參數(shù).xlsx

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