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新潔能,溝槽型功率MOSFET,超結(jié)功率MOSFET,屏蔽柵溝槽型功率MOSFET, Half-bridge N-Channel MOSFET概覽
來源: | 作者:佚名 | 發(fā)布時(shí)間: 2022-06-08 | 916 次瀏覽 | 分享到:

Half-bridge N-Channel MOSFET概覽

新潔能提供N30V的半橋功率MOSFET產(chǎn)品,是通過將兩個(gè)N型功率MOSEFT產(chǎn)品以高、低邊的串聯(lián)的方式集成至單個(gè)封裝中。半橋產(chǎn)品可以簡(jiǎn)化系統(tǒng)復(fù)雜度,減少系統(tǒng)寄生參數(shù),從而優(yōu)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)效率以及可靠性。該雙芯功率MOSFET產(chǎn)品主要采用Trench以及SGT技術(shù),設(shè)計(jì)人員可以根據(jù)實(shí)際應(yīng)用需求選擇。該類產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于于半橋驅(qū)動(dòng)等。


半橋產(chǎn)品封裝外形包括DFN3*3、DFN5*6等。



產(chǎn)品特性

  • 簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)

  • 系統(tǒng)寄生參數(shù)低

  • 高可靠性



產(chǎn)品應(yīng)用

  • 無線充




產(chǎn)品列表


 Half-bridge N-Channel MOSFET產(chǎn)品參數(shù).xlsx

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