無錫新潔能功率半導(dǎo)體有限公司 是一家專業(yè)從事大功率半導(dǎo)體器件與功率集成電路芯片設(shè)計的高新技術(shù)企業(yè)。
公司專注于MOS半導(dǎo)體功率器件（溝槽型大功率MOS器件、超結(jié)MOS器件、NPT-IGBT）以及射頻（微波）RF-LDMOS器件的設(shè)計、生產(chǎn)、測試與質(zhì)量考核、銷售及服務(wù)。擁有自主知識產(chǎn)權(quán)和“新功率”、“NCE Power”品牌。公司在中國大陸、香港分別建立了設(shè)計與運營中心、銷售公司以及外包芯片流片基地、成品封裝基地、成品測試基地，并有完善的質(zhì)量控制保證系統(tǒng)，保證產(chǎn)品品質(zhì)的一致性和穩(wěn)定性。
新潔能股份有限公司 擁有溝槽型功率MOSFET、超結(jié)功率MOSFET、屏蔽柵功率MOSFET及IGBT四大產(chǎn)品平臺的本土企業(yè)之一，產(chǎn)品電壓已經(jīng)覆蓋了12V~1700V的全系列產(chǎn)品、達1500余種，為國內(nèi)MOSFET等功率器件市場占有率排名前列的本土企業(yè)。
MOSFET
作為領(lǐng)先的MOSFET分立器件設(shè)計與供應(yīng)商，新潔能致力于推廣性能卓越、質(zhì)量穩(wěn)定并且極具價格競爭力的全系列MOSFET產(chǎn)品。我們?yōu)殡娐吩O(shè)計師們提供全面的產(chǎn)品選擇，擊穿電壓覆蓋-200V至300V，配合最先進的封裝技術(shù)，為您提供100mA至400A的電流選擇范圍。我們專注于持續(xù)改進MOSFET在電能轉(zhuǎn)換過程中的系統(tǒng)效率和功率密度以及在苛刻環(huán)境下開關(guān)過程中的抗沖擊雪崩耐量，實現(xiàn)快速、平穩(wěn)、高效的電源管理及電能轉(zhuǎn)換。
通過采用最先進的溝槽柵工藝技術(shù)和電流通路布局結(jié)構(gòu)，新潔能MOSFET實現(xiàn)了功率密度最大化，從而大幅度降低電流傳導(dǎo)過程中的導(dǎo)通損耗。同時，電流在芯片元胞當中的流通會更加均勻穩(wěn)定；應(yīng)對于高頻率的開關(guān)應(yīng)用，我們?yōu)樵O(shè)計師們提供低開關(guān)損耗的系列產(chǎn)品（產(chǎn)品名稱后加標C），其有效降低了柵極電荷（Qg），尤其是柵極漏極間的電荷（Qgd），從而在快速開關(guān)過程中降低開關(guān)功率損耗。通過采用這些先進的技術(shù)手段，MOSFET的FOM（品質(zhì)因子（Qg*Rdson））得以實現(xiàn)行業(yè)內(nèi)的領(lǐng)先水平。
應(yīng)對于半橋/全橋、AC/DC電源的同步整流以及其它需要反向續(xù)流的應(yīng)用終端，我們的MOSFET著重優(yōu)化了Body Diode，在提高和加快反向續(xù)流能力的同時，降低反向恢復(fù)過程中的峰值電流（Irm）和電壓（Vrm）。
新潔能結(jié)合最先進的封裝技術(shù)將MOSFET功率、電流和可靠性提升至新的高度，我們推出TO-220H封裝外形（產(chǎn)品名稱后加標H），有效地增加了用戶在電路板裝配MOSFET的工作效率，并降低了成本。
| 12-300V N MOSFET | 12-150V P MOSFET | 500-1050V N MOSFET | 12-300V NP MOSFET |
| 12-200V N-Channel Trench MOSFET | 12-150V P-Channel Trench MOSFET | 500-800V N-Channel SJ-III MOSFET | Complementary MOSFET |
| 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET | 30-100V P-Channel SGT-I MOSFET | 600-650V N-Channel SJ-III MOSFET | Dual N and P-Channel MOSFET |
| 30-120V N-Channel SGT-II MOSFET | 500-650V N-Channel SJ-IV NF MOSFET | Half-bridge N-Channel MOSFET | |
| 500-1050V N-Channel SJ-IV MOSFET |
IGBT
通過工藝與器件結(jié)構(gòu)優(yōu)化，新潔能提供高能效的IGBT產(chǎn)品。在導(dǎo)通壓降與開關(guān)損耗之間做出了最佳權(quán)衡，能夠大幅度提高系統(tǒng)效率。同時，該系列產(chǎn)品具備優(yōu)秀的短路能力，出色的低電磁干擾特性，可靠的開關(guān)速度控制力，為設(shè)計人員在系統(tǒng)可靠性方面設(shè)計提供充足的保障。不同系列（如B系列、W系列等）廣泛應(yīng)用于各個領(lǐng)域。
| 600-650V IGBT | 1200-1350V IGBT | |
| 出色導(dǎo)通壓降 | 極短拖尾電流 | 優(yōu)秀短路性能 |
MODULE
以先進的IGBT芯片技術(shù)為基礎(chǔ)，結(jié)合高可靠性的封裝技術(shù)，新潔能推出全新的IGBT 功率集成模塊（PIM）系列產(chǎn)品。該系列產(chǎn)品包括650V、750V、1200V和1700V系列產(chǎn)品，并搭載了不同系列的IGBT芯片，以保證產(chǎn)品工作效率最優(yōu)；同時，可以提供各種通用的封裝外形和電路拓撲的IGBT功率模塊產(chǎn)品，滿足不同的應(yīng)用要求。新潔能的PIM可以廣泛用于工業(yè)變頻、工業(yè)逆變、新能源、汽車電子等領(lǐng)域。
| IPM | PIM |
| 高兼容性 | 高可靠性 |
應(yīng)用行業(yè)
