Super Trench 產(chǎn)品概況
新潔能提供擊穿電壓等級(jí)范圍為30V至120V的N溝道Super Trench Gen.2系列功率MOSFET 產(chǎn)品，其超低的導(dǎo)通電阻（RDS(on)）與超低柵極電荷（Qg）的特點(diǎn)，結(jié)合先進(jìn)輕巧緊湊的封裝進(jìn)一步提高了系統(tǒng)的功率密度與能量轉(zhuǎn)換效率。
同時(shí)，面向性能與魯棒性要求極為苛刻的低頻應(yīng)用，新潔能N溝道Super Trench Gen.2系列產(chǎn)品進(jìn)一步優(yōu)化了大電流關(guān)斷能力與靜電防護(hù)能力，可滿足包括直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)、鋰電池保護(hù)、AC/DC同步整流等廣泛應(yīng)用。此外，相比于新潔能上一代Super Trench Gen.1系列產(chǎn)品，Super Trench Gen.2系列產(chǎn)品特征導(dǎo)通電阻Ron,sp 降低20%，F(xiàn)OM值進(jìn)降低20%，為設(shè)計(jì)人員進(jìn)一步提高系統(tǒng)效率提供了更優(yōu)的選擇。
注：“Super Trench MOSFET”又稱“SGT MOSFET”。
Super Trench平臺(tái)系列
Super Trench產(chǎn)品性能概況
能量損耗低
對(duì)于 85V & 100V 電壓段產(chǎn)品而言，Gen.2 Rsp 比 Gen.1 低20%！
100V SGT 代表產(chǎn)品與競爭者參數(shù)對(duì)比
85V SGT 代表產(chǎn)品與競爭者參數(shù)對(duì)比
穩(wěn)定性強(qiáng)
SGT 2相對(duì)SGT 1短路能力加強(qiáng)！
Super Trench封裝技術(shù)概況先進(jìn)封裝
先進(jìn)封裝
Super Trench典型應(yīng)用
Super Trench Gen.2命名規(guī)則
更多新潔能，超結(jié)-IGBT-溝槽型功率MOSFET-超結(jié)功率MOSFET-屏蔽柵功率MOSFET及其它產(chǎn)品，歡迎來電垂詢~
